언제나 믿고 사용할 수 있는 제품을 만들기 위해 노력합니다.
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회사 연혁
사업소개
당사는 Single Crystal 원료 Silicon Carbide Powder, Alumina Crackle 등을 수입하여, 잉곳 생산 업체에 공급하고 있습니다. Tungsten, Molybdenum-Powder 및 Tungsten, Molybdenum을 소재로 한 Plate, Sheet, Rod, 내화 재료인 Alumina, ZrO2 Ball, Brick과 Wafer 연마제 B4C(Boron Carbide), GC(Green Silicon Carbide)등도 수입 판매하고 있습니다
DIRECTIONS
오시는 길
서울시 관악구 신림로 59길 23 삼모스포렉스빌딩
OUR PRODUCT
1) Metal
등급 : (1) FW-1 : W >= 99.95 %
(2) FW-2 : W >= 99.9 %
포장 : 내부 비닐봉지가 있는 철제 드럼통에 각각 100kg 또는 200kg씩 넣습니다.
용도:
FW-1 는 텅스텐 카바이드 분말, 대형 텅스텐 슬래브 또는 기타 텅스텐 제품에 사용됩니다.
FW-2 는 텅스텐 접촉합금, 고밀도 실드 재료에 사용됩니다.
비고 : 제품에 대한 어떤 특별한 요구 사항도 논의할 수 있습니다.
등급 : (1)FWC - 1 : WC >= 99.8 %
(2)FWC - 2 : WC >= 99.7 %
> Formula : ZrO2
> Zirconia Bubble Ball
5.Boron
> Formula : B
> Melting Point : 2,300℃
> Density : 2.3g/cm3 (무정형붕소 분포밀도 0.3~1.5g/cm3)
> Purity : 99.99%~99.9999%
> Type : Powder , Granules .
특성 : 붕소는 주기율표에서 금속과 비금속 사이의 특수한 위치에 있습니다. 음전성이 매우 강하고 원자 반경이 작고 핵 전
하가 집중되여 화학적 성질이 활발합니다. 상온에서 안정되여 300℃까지 가열하면 산화되고 700℃에 이르면 연소합
니다. 무미무취하고 비금속 성질은 규소와 유사합니다. 고온에서 붕소는 산소,질소,유황,할로겐 및 탄소와 상호작용합
니다. 많은 금속과 직접 화합 하여 붕소화물을 생성할 수 있습니다.붕소는 비결정성인 갈색 분말과 결정성인 금속 광택
이있는 단단한 흑색 고체의 두 가지 동소체가 존재합니다. 굳기는 9.3으로 다이아몬드(금강석) 다음으로 단단하고 전
기의 반도체입니다. 화학적성질은 규소와 비슷하며 반응성이 그다지 크지 않습니다.
용도 :
6. Boron Carbide
> Formula : B4C
> Melting Point : 2,450℃
> Density :2.52g/cm³
> Mohs hardness : 9.36
> Microscopic hardness : 5400- 6300kg/mmz
Boron Carbide는 저온에서 내구성이 있고 산 또는 알칼리와 반응하지 않으며
광질, 고경도, 반도 전성 등의 특수 특성을 보유하여 다음과 같이 널리 적용됩니다.
내화물, 이온 트랜스 퓨즈, 연삭, 연마, 경질 금속 합금 , 보석 등을 드릴링하는 한편,
내마모성 부품, 정밀 미터 연령 요소, 정밀 스프레이 노즐, 밀봉 와셔 제련 붕소 강,
붕소 동맹 등의 주요 재료입니다. 붕소의 경우 중성자를 흡수하는 특성이 있어 원자
로의 반응 속도 조절 바의 주된 붕소 재료로 탄화 붕소를 사용합니다.
7. GC(Green Silicon Carbide)
다이아몬드 다음으로 경도가 강한 제품으로서 파쇄에 의한 높은 절삭력을 특징으로 하고 있습니다.
이같이 높은 절삭력을 이용하여 각종 웨이퍼 Ingot의wire 절단 및 경도가 강한 제품 또는 짧은 시간
내에 많은 절삭량을 요구하는 부분에 널리 이용되고 있습니다. 가공물의 조도에 따라 240Mesh(80㎛)
~8000Mesh(1㎛) 까지 다양한 size가 적용 됩니다.
용도 :
> 사파이어 웨이퍼(Blue Led), LiTaO₃/LiNbO₃ 웨이퍼, 초강합금제품,
> 각종 밸브 씰, 각종 세라믹 제품, 수정 진동자 등
8. Sic(Silicon carbide) Powder
> High Purity SiC powders are manufactured using Eco Friendly and low energy consumption processes.
> N content around 5 ppm as well as good particle size distribution Makes for ideal SiC single crystal growth.
(주)케이씨피메탈
주소: 서울시 관악구 신림로 59길 23 삼모스포렉스 빌딩
TEL: 02-477-1112
Fax : 02-485-1112
E-mail : kcp@kcpmetals.com
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